Plasma-therm RIE / ICP干法刻蚀设备

仪器简介: ◆配置:2”~8” 手动 / 半自动 / 全自动(片盒对片盒) /全自动多腔(片盒对片盒) ◆领域 :三五族(GaAs / SiC),GaN功率及射频器件、VCSELs的器件等化合物产业及MEMS和Si基半导体产业等 ◆制程 : RIE / ICP