PECVD / ICPCVD薄膜沉积设备

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Plasma-therm PECVD / ICPCVD薄膜沉积设备
 
                  
 
 

Plasma-Therm是致力于PECVD / ICPCVD(HDPCVD)的世界知名设备提供商, 产品涵盖2”~ 8”主流PECVD / ICPCVD(HDPCVD)薄膜生长工艺,广泛应用于三五族(GaAs / SiC )、GaN功率及射频器件、VCSELs器件等化合物产业及MEMS和Si基半导体产业

仪器简介

◆配置:2”~8” 手动 / 半自动 / 全自动(片盒对片盒) / 全自动多腔(片盒对片盒)
◆领域 :三五族(GaAs / SiC),GaN功率及射频器件、VCSELs的器件等化合物产业及MEMS和Si基半导体产业等
◆制程 : PECVD / ICPCVD(HDPCVD)

仪器特点

◆ Plasma-Therm公司有将近40年研发及制造PECVD相关设备的历史
◆ Plasma-Therm设备具有高稳定性与高可靠度
◆ Plasma-Therm自有的软硬件设计及完善QC系统
◆ Plasma-Therm设备配置灵活,包含手动、半自动、全自动(片盒对片盒)型号满足实验室研发及量产客户需求
◆ Plasma-Therm设备在化合物半导体行业内高占有率:目前世界范围内装机数量超过2000台
◆ Plasma-Therm PECVD / ICPCVD设备技术特性:
l 薄膜生长速率可调;
l 独特的应力控制方法(低损伤应力控制)
l 启辉功率低至8W,采用plasma发出的辉光作为断点监控系统的光源,薄膜厚度实时监控
l 最优的片内厚度均匀性 < 1.5%
l 最优的批次间厚度均匀性 < 1.5%
◆Plasma-Therm连续15年被VLSI评为10 Best设备供应商

应用领域

◆ 三五族(GaAs / SiC,GaN功率及射频器件,InP器件等)
◆ MEMS微机电
◆ Si基半导体
◆ 石英基底的光通讯器件